等离子体发生器

eVoS LE

用于直接控制基材电压和离子能量的不对称偏压波形发生器

Advanced Energy 的 eVoSTM 平台是一种用于直接控制等离子体加工中离子能分布的革命性电源技术。该系统采用集成式单外壳设计,可在节点蚀刻和沉积应用中实现离子能量的定制宽度和精密控制。eVoS LE 采用 1.2 kV 不对称波形,通过测量和专有控制技术,为敏感特征形成和效率提供常规射频方法无法实现的偏压等离子体性能。

  • 对电压和电流输出进行独立调节,最大限度控制偏压条件
  • 可以直接操控晶圆偏压特性的专有控制系统
  • 用于实时监测和控制输出的快速数字化测量技术
  • 功率直接应用于离子加速,效率更高,热量浪费更少
  • 定制离子能量分布、消除窄脉冲和缩小分布范围的能力更强,可使浓度最大限度保持在最佳工艺水平上
  • 概述
  • 技术参数
  • 文件
  • 服务和支持

概述

eVoS™ LE 是一种不对称偏压波形发生器,设计用于直接控制等离子体类蚀刻和沉积工艺中的晶圆表面电压和相应的离子能分布 (IED)。eVoS 系统由双向电压供电和独立电流源组成,可产生和控制晶圆表面电位。eVoS 提供不对称输出,可避免正弦曲线射频偏压应用固有的晶圆偏置局限和限制。快速数字式计量和新型的控制算法能够产生接近单能的 IED。使用附加参数,可以自定义晶圆表面电压的平均和时间变化因素,产生所需要的离子能分布。

优点

  • 实现直接控制晶圆偏压并产生离子能
  • 获得比射频偏压方法更强的离子能量选择/辨识
  • 显著提高蚀刻选择性,用于缩短工序和实现更直更深的形貌
  • 使用“正确的电源”和只提供有用离子能,从而降低功率
  • 简化偏压电源集成

特点

  • 能够产生接近单能的离子能分布
  • 具有脉冲功能,可对必要的输入和输出信号进行同步
  • 采用紧凑的集成式设计,无需使用匹配网络
  • 高速计量可提供实时偏压和离子流反馈
  • 窄、宽及多峰分布
  • 可适配标准腔适接口
  • 离子能量

    50 至 500 eV

  • 离子流

    10 至 400 mA

  • IED 分布

    Fw HM 以上;10 V 或指定 eV/Icomp 范围的 5%(取其中较大者)

  • 脉冲范围

    1 至 5000 Hz @ 10%-90% 占空系数(最小脉冲间隔(开或关时间)= 100 毫秒)

  • 冷却

    连接器

    9/16 英寸 18 SAE 内螺纹 (ISO 11926-1)

    水流量

    ≥2 gpm @ 5°C 至 30°C

    水质量

    符合 SEMI E51-0200 工艺冷却水标准

    最大水压力

    6.9 Bar

    环境空气温度

    5°C 至 40°C

    空气流量

    通过 60 mm 风扇强制实现空气流量

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