注入和 RTP
注入和 RTP
定制并优化电源精度、准确度、速度和工艺可重复性。
克服晶圆加工挑战。Advanced Energy 针对离子注入、快速热处理应用和器件几何图形，对电源和控制解决方案进行了深入变革。利用我们的精密电源转换解决方案，可以定制和优化您的电源精度、准确度、速度和工艺可重复性。我们的非接触温度测量技术能够更好地控制退火工艺。
进一步了解我们的半导体制造工艺，找到适合您需求的解决方案。
挑战
随着半导体行业将设备特征尺寸推向纳米级，您需要提高器件速度，更好地降低泄漏电流和功耗。这些优先事项为前端工艺带来了特殊的注入挑战。
对于四种类型的离子注入工艺（大电流、中电流、高能量和等离子体掺杂），能量纯度、离子束角度控制和均匀性是关键变量。注入完成后，必须对晶圆进行热处理（退火）以激活注入区域并修复晶圆表面晶体结构的损伤。
我们的解决方案
解决您在注入工艺中遇到的所有挑战，体验与专一供应商合作的便利。Advanced Energy 为离子束产生、过滤和定向提供各类高压电源。与我们合作开发定制的注入解决方案和电源：
- 用于产生等离子体的电弧电源（离子源）
- 离子汲取电源
- 离子加速器电源
- 四透镜电源（聚焦离子束）
- 减速电源（离子束能量控制）
- 抑制电源（去除多余离子）
- 离子束能量过滤电源（优化离子束能量）
我们还提供先进的非接触温度测量解决方案。
优势
- 为注入、掺杂和退火应用提供范围最广的高压输出
- 高功率密度意味着电源更小，可以轻松集成到设备中
- Direct Drive Digital Control™ (D3C™) 技术及控制可提高 MTBF 和可靠性
- 温度测量稳定性出色
- 通过有源辐射率补偿提高精度
