温度测量产品
UV 400 和 UVR 400
用于 650°C 至 1300°C 氮化镓基外延的真实晶圆表面温度和反射率测量
Advanced Energy 的 UV 400 和 UVR 400 高温计可直接测量晶圆表面温度，而非传统的基座/容器温度。
- 温度范围宽（650°C 至 1300°C），可同时覆盖主缓冲生长和 MQW 生长
- 通过 UVR 400 上的 635 nm 附加反射计测量沉积厚度
- 辐射率、透射比和子范围均可调
- 概述
- 技术参数
- 文件
- 附件
- 服务和支持
- 经销商
概述
Advanced Energy 的 UV 400 和 UVR 400 高温计可直接测量晶圆表面温度。这种改进方法可对晶圆温度进行更精确的控制，从而提高良品率。
UVR 400 包括一个波长为 635 nm、测量速度为 0.5 kHz 的附加反射计。这样，便于测量沉积厚度。
这些系统为 LED 生产工艺设定了全新标准。结果表明，工艺温度与最终产品波长之间存在可靠的相关性。
优点
- 通过精确的真实晶圆温度测量提高良品率
- 使用紫外波长仪器在氮化镓层上直接测量温度
- 使用快速脉冲光源捕获实时反射率测量
- 防止近红外辐射率补偿高温计指示的残留温度振荡
- 防止采样延迟导致的数据偏斜（无快门开启和关闭）
特点
- 采用 PL 波长校正，晶圆温度可靠
- 可提供模拟量输出和具有 UPP 协议接口的 RS485
- 可在温度范围内调节子范围
- 装置能承受氮气气氛和真空 (< 10 mbar)
- 针对反应器温度控制的整体解决方案，配备 PhotriX 和同心光管选项
所选规格如下所示。有关更多规格，请参见产品数据手册。
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温度范围
UV 400 和 UVR 400
650°C 至 1300°C
可在温度范围内调节至任意量程，最小量程为 51°C -
测量
光谱范围
383 至 410 nm（数值的 10%）
测量不确定性
< 1000°C：3°C
> 1000°C：读数的 0.3%
ε = 1 时，t90 = 1 s，Thous.= 28°C
高温计必须先工作 30 分钟，这些值才有效。可重复性
0.1% oR + 0.1°C
ε = 1 时，t90 = 1 s，Thous. = 28°C曝光时间 t90
积分时间：最小 8 ms
辐射率 ε
0.100 至 1.000，步长 1/1000
透射比 τ
0.100 至 1.000，步长 1/1000
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光学
光学部件
固定光学部件
距离比 (FOV)
最小 8:1（9.8 毫米）
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接口和通信
连接
用于电源的 M12（8 针）插头连接器，用于测量温度的 RS485 和模拟输出
用于辐射率测量模拟输出的 M12（4 针）插头连接器参数
可通过接口调节：辐射率 ε、透射比 τ、设置时间 t90、删除时间 tcl、0 至 20 或 4 至 20 mA 模拟输出（可切换）、子范围 RS485：地址、波特率、等待时间 tW
可通过接口读取：内部探测器温度，单位：0.1°C
模拟输出
0 至 20 mA 或 4 至 20 mA，线性（通过数字接口）
数字接口
RS485 可寻址（半双工）
波特率：1200 至 38400 -
环境
防护等级
IP 40 IEC 60529
真空和气体条件
装置能承受氮气气氛和真空 (< 10 mbar)。外壳具有空气开口
操作位置
任意
环境温度
外壳上 10°C 至 38°C
存放温度
-20°C 至 50°C
相对湿度
无冷凝条件
重量
2.5 千克（不带适配器的仪器）
外壳
黑色阳极氧化铝
通过 CE 认证
符合欧盟关于电磁抗扰度的指令
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电气
功耗
最大 5 W
负载
0 至 500 Ω
隔离
电源、模拟输出和数字接口相互电隔离
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典型应用
- 真实晶圆表面温度测量
规格如有更改，恕不另行通知。并非所有型号和配置都具有所有选项和附件。所列尺寸一般仅参考标准配置和模块主体。请向销售代表确认技术规格和定制要求。Advanced Energy 对错误或遗漏概不负责。
