等离子体发生器

Ascent AP 系列

面向单靶磁控管和双靶磁控管溅射的创新功率控制

采用久经现场验证的双极直流脉冲技术,让工艺性能更上一层楼。

  • 先进的波形控制可实现工艺微调
  • 同时适合双脉冲和单脉冲磁控溅射应用
  • 设计紧凑,包含直流和脉冲
  • 概述
  • 技术参数
  • 文件
  • 服务和支持

概述

Ascent® AP 电源以紧凑的设计外形为单靶及双靶磁控溅射提供了无与伦比的等离子控制。Advanced Energy 专利脉冲技术可有效预防电弧,提高功率等级和提升产量。Ascent AP 全面的控制参数和宽广的操作范围可以增加材料选择,扩展工艺灵活性,推进材料创新。

优点

  • 介电和导电薄膜的精密溅射
  • 扩展工艺控制和灵活性
  • 优质薄膜品质和高产量
  • 薄膜可重复、可定制
  • 更高的功率水平,减少电弧伤害
  • 易于集成和控制

特点

  • 工艺定制,提供丰富的供电参数
  • 通过电弧缓解分层方法实现先进的工艺管理
  • 紧凑的单机组解决方案(最高 30 kW)
  • Set Point Compensation™ 技术实现稳定产量
  • 宽广工作范围,可用于各种工艺材料
  • 功率

    Ascent SMS

    30 kW (15 kW)

    Ascent DMS

    30 kW (15 kW)

  • 电压

    Ascent SMS

    1000 VDC

    Ascent DMS

    1000 VDC

  • 峰值电流

    Ascent SMS

    100 A (50 A)

    Ascent DMS

    不适用

  • 平均电流

    Ascent SMS

    75 A (38 A)

    Ascent DMS

    80 A (40 A)

  • 频率

    Ascent SMS

    0.5 至 150 kHz

    Ascent DMS

    0.5 至 150 kHz

  • 反向时间(最大值)

    Ascent SMS

    15 µsec 

    Ascent DMS

    不适用

  • 占空比

    Ascent SMS

    > 60% 运行时间

    Ascent DMS

    5% 至 95%

  • 反向电压

    Ascent SMS

    最高 300 VDC

    Ascent DMS

    不适用

  • 脉冲配置

    Ascent SMS

    单极性

    Ascent DMS

    双极性

规格如有更改,恕不另行通知。并非所有型号和配置都具有所有选配选项和附件。所列尺寸一般仅参考标准配置和模块主体。请向销售代表确认技术规格和定制要求。Advanced Energy 对错误或遗漏概不负责。

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